اثر گاف در رسانندگی الکتریکی گرافین دو لایه

در این پژوهش به بررسی اثر گاف انرژی و پارامترهای ساختاری بر رسانندگی گرافین دولایه می پردازیم. با قرار دادن یک لایه گرافین بر روی گرافین تک لایه، گرافین دولایه، سیستمی متفاوت با خواص قابل تغییر، تشکیل می شود. یکی از جالب ترین خواص گرافین دولایه گاف انرژی قابل تغییر آن است. این گاف با اعمال بایاس بین دو لایه یا داپینگ یکی از لایه ها ایجاد می شود که منجر به اختلاف پتانسیل بین دولایه می گردد. سیستم ابرشبکه شامل سدها و چاه های پتانسیل متوالی است، با تغییر پتانسیل سد، در یک پتانسیل بحرانی، گاف انرژی تولید می شود و رسانندگی به صفر می رسد. این پتانسیل بحرانی به پارامترهای ساختار ابرشبکه و انرژی ذره فرودی وابسته است. همچنین در ابرشبکه ی گرافین دولایه گاف دار، با تغییر بایاس و بی نظمی آن در بعضی اندازه های گاف، رسانش کمینه یا بیشینه می شود وحتی در بعضی موارد احتمال عبور به یک می رسد. با تغییر پتانسیل سد، پارامترهای ساختار، انرژی ذرات فرودی و بایاس اعمالی می توان عبور و انتقال ذرات را کنترل کرد.